MEMORIA DDR4 4GB 2666MHZ 1.2V CL19 - KVR26N19S6/4 - KINGSTON

MEMORIA DDR4 4GB 2666MHZ 1.2V CL19 - KVR26N19S6/4 - KINGSTON

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Indisponível
Descrição

Detalhes

Características:
- Marca: Kingston
- Modelo: KVR26N19S6/4


Especificações:
Frequência de operação: 2666Mhz
CL (IDD): 19 ciclos
Row Cycle Time (tRCmin): 45,75ns (min.)
Refresh to Active / Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.)
Row Active Time (tRASmin) – 32ns (min.)
Potência Máxima de Operação – TBD W*
Classificação UL 94 V - 0
Temperatura de operação – 0oC a +85oC
Temperatura de armazenamento - -55oC a + 100oC
*A potência pode variar dependendo do uso do SDRAM

Características / Benefícios:
Tensão de operação: VDD = 1,2V Típico
VDDQ = 1,2 V Típico
VPP = 2.5V Típico
VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
Terminação nominal e dinâmica no DIE (ODT) para sinais de dados, luz e máscara
Auto-atualização de baixa potência (LPASR)
Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
Geração e calibração VREFDQ no DIE
Single Rank
EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2
8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS)
BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF)
Topologia fly-by
Comando de controle e barramento de endereços com terminação
PCB: Altura 1,18” (30,00 mm)
Em conformidade com RoHS e sem halogênios

Conteúdo da embalagem:
Memória Kingston 4GB

Garantia
12 meses de garantia

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